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本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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