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本发明公开了一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法。利用二维反铁磁绝缘体CrOCl中的磁电耦合效应，通过对隧穿结施加电压脉冲来调控CrOCl磁相变过程中的亚稳态，从而实现使隧穿结的阻态可控地在一定范围内任意切换。本发明通过改变电压扫描的速...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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