温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种氮化铝单晶复合衬底及其制法、应用、应力和/或极化控制方法，属于半导体领域。制备氮化铝单晶复合衬底的方法包括：提供单晶的第一氮化铝膜；对所述第一氮化铝膜进行低能离子辐照，以使所述第一氮化铝膜的表面形成至少由来自于所述第一氮化铝膜中的氮元素...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。