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一种高密度的二维硅基纳米材料，包括硅纳米片和硅基板，且硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列；硅纳米片之间的间距达到10~100nm，硅纳米片组成的阵列呈现对称形貌，厚度在5~150nm之间；它是按照以下步骤制备而得的：将硅基板预处理后与钙于真空中...
该专利属于重庆文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过重庆文理学院授权不得商用。

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