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本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，具体地说是一种钝化接触的IBC太阳电池的结构及制备方法，主要在IBC电池背面生长超薄二氧化硅层和多晶硅层形成隧穿氧化钝化接触结构，并去除发射极上方的氮化硅和掺杂poly层，避免造成漏电，最终在IBC电池背...该专利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团西安太阳能电力有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司授权不得商用。