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本发明提供了一种用于在集成电路(IC)器件中形成薄膜电阻器(TFR)的方法。在包括IC元件和IC元件触点的IC结构之上形成TFR膜并且使该TFR膜退火。在该TFR膜之上形成氧化物盖，该氧化物盖在该TFR膜的TFR蚀刻期间充当硬掩模以限定TF...
该专利属于微芯片技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微芯片技术股份有限公司授权不得商用。

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