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基于氮化镓的RF晶体管放大器包括具有基于氮化镓的沟道层和其上的基于氮化镓的势垒层的半导体结构，并且被配置为在特定的直流漏极
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该专利属于沃尔夫斯皮德股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃尔夫斯皮德股份有限公司授权不得商用。

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