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本发明涉及的硅微压电传感器芯片，包括：ｎ型硅基片中心有上小下大的方锥形孔，基片正、反面分别淀积氮化硅基膜层和掩膜层，基膜层中心设制圆孔，直径大于等于或小于硅基片正面方孔的对角线，掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同尺寸的方孔；基膜层上表面有氮化...
该专利属于中国科学院声学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院声学研究所授权不得商用。

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