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本公开公开涉及读出放大器、包括该读出放大器的存储装置以及包括该存储装置的电子设备，该读出放大器包括：第一隔离单元；第二隔离单元；第一偏移消除单元；第二偏移消除单元；以及感测放大单元，其包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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