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本发明提供一种HKMG器件及其制造方法，衬底上形成有侧墙，侧墙内形成有自下而上叠加的氧化层、高K介质层、第一底部隔离层，侧墙外形成有层间介质层；第一底部隔离层一侧上表面形成有依次叠加U形的第二底部隔离层、第一功函数金属层、第一顶部隔离层，第...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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