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本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnSeS，所述空穴传输层中空穴传输材料的迁移率高于1
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该专利属于TCL科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL科技集团股份有限公司授权不得商用。

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