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本发明公开了一种基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取外延基片并进行清洗，外延基片自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层和势垒层；在外延基片有源区边缘刻蚀台面至缓冲层，形成有源区域隔离；在势垒层上刻蚀图形化...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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