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本发明提供一种抑制WPE的阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底之上涂敷光刻胶层；光刻所述光刻胶层形成具有注入窗口的掩膜，并且在所述光刻过程中利用驻波效应使所述注入窗口的侧壁形成驻波波纹；经由所述注入窗口进行离子注入...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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