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本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法，外延结构包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性依次层叠的多个量子阱层及量子垒层；所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层包括交替生长的多个第一子层及第二子层，所述第...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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