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本发明提供一种SRAM及其制作方法，对应多晶硅层中的间隙的开口图形，经光阻层、SHB层和ODL层叠加而成的多层膜层结构传递到硬掩模层，多层膜层结构依次传递图形及尺寸，提高开口图形的解析度和保真度。实现间隙对应的开口图形的关键尺寸的精确控制，...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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