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本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延片包括依次沉积第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层、第四量子阱子层以及第五量子阱子层而成的量子阱层，其中，前两个子层为GaN层，其余子层为InGaN层，在生长第一量...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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