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本发明涉及中一种半导体存储器结构及接触孔填充导电材料的方法。接触孔中填充导电材料的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区；在所述半导体衬底上方形成介质层，在所述介质层中形成露出一部分所述有源区的接触孔；向接触孔中沉积硅籽晶...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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