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本发明涉及一种改进的等离子增强原子层沉积法及沟槽/孔的表面成膜方法。一种改进的等离子增强原子层沉积法，包括：在一个沉积循环中，在前驱体脉冲关闭或者反应物脉冲关闭后至少进行一次真空吹扫。一种沟槽/孔的表面成膜方法包括：提供半导体基底，所述半导...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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