温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于磁隧道结技术领域，尤其涉及一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器。本发明提供的自由层包括依次接触的第一铁磁层、间隔层和第二铁磁层；所述第一铁磁层和第二铁磁层的厚度均≤1nm，且所述第二铁磁层厚度小于第一铁磁层厚...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。