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本发明属于磁性石榴石单晶膜制备领域，具体提供一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法，用于解决液相外延生长的铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜容易产生晶体缺陷、开裂、剥落等难题，进而提高制备良品率。本发明采用液相外延法在SGGG基片上生长单晶石榴石厚...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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