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本发明公开了一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块，若干串联或并联的宽禁带功率半导体芯片排布在功率基板上表面的导电金属基板上；顶部以及底部功率衬底由旁路铜柱、辅助铜柱进行支撑连接；旁路铜柱的布局设计使得功率模块中并联芯片散热环境相似、热...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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