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在各种实施例中，氮化铝单晶在生长过程中快速扩径并且具有较大的晶体增强参数。氮化铝单晶可以具有较大的晶锭质量和体积。氮化铝单晶可以在增强的径向热梯度下从气相生长，实现较高的扩径率。较高的扩径率。较高的扩径率。
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该专利属于晶化成半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶化成半导体公司授权不得商用。

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