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本发明涉及多级超级结结构及其自对准制备方法。多级超级结结构包括外延层和多级超级结柱区，多级超级结柱区包括多个单级柱区，多个单级柱区对应多个单级沟槽，多级超级结结构的自对准制备方法包括：生长表面刻蚀掩膜和多次形成沟槽侧壁保护层，并使用所述表面...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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