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本实用新型涉及一种设置有电流阻断层的功率半导体器件，它包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第三类绝缘介质层、第一类导电多晶硅、场氧层、第一类绝缘介质、第二类导电多晶硅、栅氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二类绝缘...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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