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本公开涉及一种每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元。一种用于提供具有双磁隧道结的漏斗状自旋转移矩STT磁阻式随机存取存储器MRAM器件的方法。该方法包括在到半导体器件的连接上提供金属柱。该方法包括在金属柱上且在与金属柱邻近...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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