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降低包括具有开关元件的逆变器的电流供给电路的损耗。包括续流二极管的ＩＧＢＴ元件的动态损耗与导通损耗和开关频率之积成比例，静态损耗与流向ＩＧＢＴ元件的电流和其集电极／发射极之间的饱和电压之积成比例。即使把ＩＧＢＴ元件的耐压设为２倍，集电极／发...
该专利属于大金工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过大金工业株式会社授权不得商用。

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