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本申请公开了一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置，制备方法包括：S1:将晶体原料放入PBN坩埚并转移至石英坩埚内；将石墨放入石英帽，然后与石英坩埚密封连接；S2:密封连接后装载至VGF单晶炉，且石英帽与石英坩埚位于不同温区；S3:使...
该专利属于山西中科晶电信息材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西中科晶电信息材料有限公司授权不得商用。

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