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本发明公开了一种基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器制备方法，包括：1)利用背照式CMOS工艺形成Si衬底；2)获得单层或多层石墨烯；3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的Si衬底上。本发明的石墨烯红外探测器的背照式CMOS制备工艺使电气...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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