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本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体井层、P型半导体井层以及P型侧掺杂层。P型半导体井层配置于N型半导体井层上。P型侧掺杂层配置于N型半导体井层与P型半导体井层之间。P型侧掺杂层的深度小于P型半导体井层的深度。P型侧掺杂层的P...
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