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本申请公开了功率半导体器件，其包括碳化硅(SiC)半导体层；设置在半导体层中的多个阱区，多个阱区彼此间隔开且具有第二导电类型；分别设置在多个阱区上的半导体层中的多个源极区，其彼此间隔开；具有第一导电类型；以及设置在半导体层中的漂移区，漂移区...
该专利属于现代摩比斯株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代摩比斯株式会社授权不得商用。

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