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本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述...
该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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