温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型提供了一种基于AlN的高压SiC PIN二极管,包括N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面;N型轻掺杂AlN耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面;N型本征层的下侧面连接至N型轻掺杂AlN耐压提高...该专利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泰科天润半导体科技(北京)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型提供了一种基于AlN的高压SiC PIN二极管,包括N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面;N型轻掺杂AlN耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面;N型本征层的下侧面连接至N型轻掺杂AlN耐压提高...