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本发明提供一种单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、旋转基座、驱动装置、内衬管及基座环；炉体底部设置有底座，坩埚位于炉体内，旋转基座与坩埚的底部相连接，并向下穿过底座直至延伸到炉体外部，内衬管位于旋转基座与底座之间且套设于旋转基座的外围；...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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