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本发明提供一种基于纳米线MOSFET的压控LED及其制备方法，所述基于纳米线MOSFET的压控LED包括一个垂直结构的压控LED和一个纳米线MOSFET，两个结构在电学上串联，共用二极管N型GaN层，省去了压控LED的负电极和纳米线MOSF...
该专利属于上海南麟电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海南麟电子股份有限公司授权不得商用。

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