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本发明公开了一种纳米晶TaNbTi中熵合金涂层及其制备方法，其组成元素Ta、Nb、Ti为等原子比。在单面抛光的单晶硅基体上采用直流磁控溅射的方法制备TaNbTi难熔中熵合金涂层，靶材为TaNbTi单一合金靶，采用直流电源，功率为200W，工...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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