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本发明公开了一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺，将带有Si3N4介质钝化层的衬底样品垂直放置到反应容器内；向反应容器内充入去离子水并密封；控制压强，向反应容器内充入CO2或N2O超临界气体；对反应容器进行升温升压处理，然后保...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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