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本发明涉及一种低开关损耗功率器件结构，在第一导电类型外延层的顶部设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区内设有沟槽，沟槽穿透第二导电类型体区进入第一导电类型外延层内，并且沟槽顶部的两侧设有第一导电类型源区，所述沟槽内设有第一导电多晶硅与第二...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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