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本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热...该专利属于北京智芯微电子科技有限公司国家电网有限公司国网重庆市电力公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司国家电网有限公司国网重庆市电力公司电力科学研究院授权不得商用。