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本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，...
该专利属于南京邮电大学南通研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学南通研究院有限公司授权不得商用。

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