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本发明提供了一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法，方法包括：对铜箔衬底和二氧化硅/硅衬底分别进行清洁处理；在处理完成的铜箔衬底上生长石墨烯薄膜；将生长完成的石墨烯薄膜从处理完成的铜箔衬底上转移至处理完成的二氧化硅/硅衬底上，以得...该专利属于山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司授权不得商用。