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本发明提供一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法，包括如下步骤：(1)将高纯SiO2和Ga2O3粉末或SiO2、Ga2O3和In2O3粉末充分研磨后倒入等静压成型模具，压制成片状靶材；(2)压制好的靶材置于高温马弗炉内，通过固相...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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