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本发明公开了一种基于硼扩散的湿氧氧化扩散工艺，本发明在高温硼扩散工艺中，工艺温度980℃及以上氧化条件下，分阶段通入氧气及携氧水汽，能够在高温较短时间内实现生长工艺所需的氧化层厚度，有效控制硅片表面掺杂浓度，提升电池转换效率。与传统硼扩工艺...
该专利属于拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司授权不得商用。

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