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本发明提供了一种用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版，包括包括掩膜版本体，掩膜版本体上均匀设有n条相互平行的分割线，将n条所述分割线均分为p个曝光场，所述分割线呈矩形，分割线的线宽为光刻机的极限解析度的0.8
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该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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