温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供包括半导体衬底、GaN沟道层及势垒层的半导体基底，制备绝缘层、源极金属、漏极金属、栅极金属、源极互联柱、漏极互联柱，在切割道区制备引出沟槽，在引出沟槽的侧壁及底部形成连续的屏蔽引出...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。