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本发明公开了一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法。本发明揭示了外尔半金属材料的光电性质与偏压的相关性，通过第一性原理计算出外尔半金属材料的能带图、态密度图以及光电流大小，间接说明了外尔半金属材料器件的光电性质与电子能带跃迁之间的关系...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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