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本发明公开了基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件，属于半导体制造技术领域，包括在完成正面器件的衬底上刻蚀第一背孔，并在第一背孔中制备第一金属层；在衬底正面涂布保护层，并对衬底背面进行减薄处理；在衬底背面进行刻蚀形成第二背孔直至暴露...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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