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本实用新型提供了一种微发光二极管，包括衬底及位于所述衬底上的外延层，所述微发光二极管的侧壁具有若干凹陷部，所述凹陷部沿所述微发光二极管的厚度方向连续排布，其中，所述微发光二极管的侧壁包括所述衬底的侧壁和所述外延层的侧壁，所述凹陷部增加了所述...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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