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本发明公开了一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，包括：高温栅偏测试平台及高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，恒温箱提供预设温度的恒温条件；电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为高温反偏测试平台提供漏极电压；高温栅偏测试平台能同时对...
该专利属于全球能源互联网研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司授权不得商用。

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