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本发明涉及一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用。该材料为生长在块体镍衬底上的无定形的铁修饰羟基硫化镍纳米片阵列。通过两步氧化法制备得到，制备方法简单高效，且铁的掺入有利于提高催化剂的导电性，提升了电子的转移能力，从而促进了...
该专利属于华中师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中师范大学授权不得商用。

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