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一种低功耗功率器件制造技术
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下载一种低功耗功率器件的技术资料
文档序号:33635542
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本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种低功耗IGBT器件。相对于传统结构,本发明将P+发射极、N+发射极以及浮空P区连到不同的电位,从而自适应控制器件的工作状态。正向导通时,小电压下使发射极的PN结开启增强电导调制效应,大电压时自适应关...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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